采用激光對重摻雜 SiC 表面沉積一種或幾種過渡金屬進行合金化,精確控制激光能量和分布,形成良好的歐姆接觸。采用激光方式可忽略襯底正面結構的影響,更好的與減薄工藝兼容,簡化工藝流程,提高器件性能。
· 支持薄片退火 · 優秀的退火表面形貌和電學特征
· 10-5Ωcm2量級的比接觸電阻率
· 高效率、低成本控制
· I F 值提高 30% 以上 · 完整的全程監控反饋功能
≤ 10 -5Ωcm2
Chengdu Laipu Technology co.,LTD